Generator impulsów sterujących tranzystorów mocy MOS i IGBT

Driving circuit for MOS and IGBT transistors

Autor: Tomasz Zbies

Opiekun pracy: dr inż. Krzysztof Napiórkowski

Rodzaj pracy: praca dyplomowa inżynierska

Data obrony: 2011-02-17

Streszczenie

Celem pracy było zaprojektowanie generatora sygnałów pozwalających sterować
tranzystory MOS oraz IGBT. Funkcjonalność takiego generatora opiera się na możliwości
zmiany przez użytkownika kilku funkcji, takich jak: współczynnik wypełnienia,
częstotliwość, czas opóźnienia impulsów, amplituda impulsów wyjściowych.
Generator składa się z trzech głównych bloków funkcyjnych takich jak: zasilacz,
obwód sterowania, obwód wyjściowy. Układ został zaprojektowany na bazie dwóch układów
scalonych z rodziny CMOS. Generator posiada dwa galwanicznie separowane wyjścia
pozwalające na sterowanie tranzystorów znajdujących się na różnych potencjałach.

Abstract

The aim was to design a signal generator allow you to control the MOS and IGBT
transistors. The functionality of such of a generator is based on the possibility of change by
several functions, such as: pulse width modulation, frequency, delay time of pulses, the
amplitude of output pulses.
The generator consists of three main function blocks, such as power suply, control
circuit, output circuit. The layout has been designed on the basis of two integrated circuits
with CMOS family. The generator has two galvanically separated outputs allowing you to
control the transistors which are at different potentials.